本系列产品是引进日本的FUJIMI公司和美国的杜邦（DUPON)公司配方专利生产，适应半导体材料如硅片，锗单晶片，砷化镓晶片，硬盘玻璃，蓝宝石晶片，碳化硅晶片的（CMP)化学表面抛光工艺，具有去除速率高、使用方便、抛光效果好等特点。抛光后晶片表面的粗造度可以达到0.2um以下，同时可以提高晶片的粗造度和平行度等，而且无划伤，无抛光雾。本公司在为用户提供高质量产品的同时，又降低了加工成本，本系列产品是替代进口产品的较佳选择。
性状：本产品属乳白胶体水溶液，无毒、无臭
特点
1：去除速率高：降低抛光工艺所需要的时间，提高生产效率，循环使用，稀释比例大。
2：使用方便：本抛光液使用于通用的抛光工艺。
3：抛光效果好:抛光表面粗造度好，无划伤，不会出现抛光雾。
使用范围及参数
本系列产品使用于直拉、区熔单晶硅，直径φ76-150mm的原始硅片、掺杂硅片的单面双面的抛光：以及其它半导体材料如蓝宝石，锗片，砷化镓片等抛光工艺：同时还使用于光学晶体材料如铌酸锂的抛光工艺。
|
项目型号
|
SiO含量
|
PH值
|
平均粒径/nm
|
|
T-980F
|
40%
|
10
|
115
|
|
T-980
|
40%
|
10.5
|
80
|
|
T-900
|
38%
|
9.8
|
40-60
|
|
T-925
|
38%
|
2.5-3.5
|
25
|
|
T-920
|
36%
|
10.2
|
20
|
|
T-915
|
30%
|
2.3-3.2
|
15
|
