系列产品是引进日本的 FUJIMI公司和美国的杜邦(DUPON)公司配方爸利生产,适应半导体材料如硅片,锗单晶片,砷化镓晶片,硬盘玻璃,蓝宝石晶片,碳化硅晶片的(CMP)化学表面抛光工艺,具有去除速率高、使用方便、抛光效果好等特点。抛光后晶片表面的粗造度可以达到 o.2nm 以下,同时可以提高晶片的粗造度和平行度等,而且无划伤,无抛光雾。本公司在为用户提供高质量产品的同时,又降低了加工成本,本系列产品是替代进口产品的最佳选择。
性状:本产品属乳白胶体水溶液无毒、无臭
特点
1:去除速率高:降低抛光工艺所需要的时间,提高生产效率,
循环使用,稀释比例大2:使用方便:本抛光液使用于通用的抛光工艺3:抛光效果好:抛光表面粗造度好无划伤,不会出现抛光雾
使用范围及参数
本系列产品使用于直拉、区熔单晶硅,直径中76-150mm的原始硅片、掺杂硅片的单面双面的抛光:以及其它半导体材料如蓝宝石,锗片,砷化镓片等抛光工艺:同时还使用于光学晶体材料如铌酸锂的抛光工艺
型号 |
SiO含量 |
P H 值 |
平均粒径/nm |
T-980 |
40% |
10.5 |
80 |
T-900 |
38% |
9.8 |
40-60 |
T-925 |
38% |
2.5-3.5 |
25 |
T-920 |
36% |
10.2 |
20 |
T-915 |
30% |
2.3-3.2 |
15 |
