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2025-07
光学玻璃研磨垫的核心作用
光学玻璃研磨垫在光学元件制造中扮演着关键角色,其核心作用可归纳为以下三个方面,涵盖从宏观加工到微观表面控制的全程需求:1.实现超精密表面成形亚纳米级粗糙度控制通过弹性变形与微切削的平衡,将玻璃表面粗糙度降至 Ra<0.5nm(如激光陀螺仪反射镜要求),消除切割/粗磨产生的亚表面损伤层(SSD)。面形精度修正配合抛光液对玻璃的化学机械作用(CMP),修正λ/10级(可见光波段约60nm)以上的面形误差,满足成像系统波前像差要求。2.材料选择性去除硬度匹配的差异化加工软垫(如沥青):通过“贴合性接触”仅去除表面凸起,保护脆性材料(如氟化镁晶体)。硬垫(如金刚石垫):对超硬玻璃(如微晶玻璃)实现高效切削,避免因硬度不足导致的加工硬化。化学协同作用多孔聚氨酯垫可存储CeO₂抛光液,促进玻璃表面水解反应(如SiO₂+CeO₂→Ce₂O₃·SiO₂),提升材料去除率(MRR)30%以上。3.工艺稳定性保障热管理高孔隙率无纺布垫(如3MImperial™)通过毛细效应快速散热,防止局部温升>5℃导致的玻璃热变形。颗粒控制纳米级纤维结构(如日本旭化成Bemcot®)能有效捕获抛光副产物(如硅凝胶),减少划痕(LPD<0.1个/cm²)。特殊应用场景中的扩展功能结构化表面加工带图案的研磨垫(如ROBAX®3D微沟槽垫)可同步加工非球面与自由曲面,替代部分机械修形工序。超薄玻璃处理0.1mm以下超薄玻璃采用真空吸附垫(如DiscoVacuumChuck),防止碎裂的同时保证厚度均匀性(TTV<1μm)。与普通工业研磨垫的本质差异指标光学玻璃研磨垫工业级研磨垫表面粗糙度≤1nm通常>100nm硬度公差±2ShoreA±5ShoreD洁净度Class100洁净室生产普通工业环境寿命评估按表面精度衰减计(如λ/20→λ/10)按厚度磨损量计在实际应用中,例如光刻机物镜组的制造,需通过三级研磨垫过渡:①金刚石垫(粗磨,MRR5μm/min)→②聚氨酯垫(中抛,Ra2nm)→③沥青垫(精抛,Ra0.2nm)。每一步垫的硬度、弹性和孔隙结构都需严格匹配材料去除机理。
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2025-07
研磨垫的关键类型与特性
以下是光学玻璃研磨垫的关键类型与特性对比,涵盖材料、结构设计、性能参数及典型应用场景,便于根据加工需求精准选型:1.聚氨酯研磨垫(主流光学级)材料结构开孔式聚氨酯泡沫(孔隙率30%-60%)邵氏硬度范围:A50(软)至D80(硬)核心特性弹性模量可控:通过调整发泡密度(0.3-0.8g/cm³)平衡表面贴合性与支撑性化学兼容性:耐pH2-12的抛光液(如酸性二氧化铈或碱性胶体硅)应用场景精密抛光:手机镜头模组(7P镜头)终抛,配合氧化铈液实现Ra0.3nm案例:美国PolytecPT系列(硬度A65,厚度1.5mm,寿命>200小时)2.无纺布纤维垫(大尺寸加工首选)材料结构多层复合纤维(PET+尼龙),密度80-120g/m²表面植绒或菱形压纹设计核心特性高吸液率:可吸收3倍自重抛光液,减少干燥抛光风险各向同性:纤维随机分布确保压力均匀(压力波动<5%)应用场景平板玻璃:8.5代LCD基板抛光(>2m²面积,TTV<0.5μm)案例:日本旭化成BemcotPS-312(含纳米SiO₂涂层,防划伤)3.金刚石研磨垫(超硬材料加工)材料结构镍基复合电镀层,金刚石颗粒(5-50μm)有序排列颗粒浓度:25%-75%(Vol%)核心特性切削力可调:通过颗粒凸出高度(10-30μm)控制MRR(1-20μm/min)寿命极长:单垫可加工>5000片蓝宝石衬底(2英寸)应用场景硬脆材料:微晶玻璃盖板(iPhone超瓷晶面板)粗磨阶段案例:3MTrizact6μm钻石垫(阶梯式结构,自锐化设计)4.沥青抛光垫(超光滑表面)材料结构改性石油沥青+松香添加剂,硬度ShoreA20-40表面需手工刻划微沟槽(深度0.1-0.3mm)核心特性分子级去除:通过沥青粘弹性实现“塑性流动”抛光面形保持:天文望远镜镜片(λ/20精度)的终极抛光应用场景高精度光学:引力波探测镜(表面粗糙度<0.1nmRMS)案例:Zeiss专用沥青垫(需恒温25℃±1℃使用)5.复合结构垫(特殊需求类型结构特点独特优势典型应用磁性纳米垫Fe₃O₄纳米颗粒嵌入聚氨酯磁场调控去除率(±15%实时调节)非球面补偿抛光3D微孔垫激光打孔(孔径50-200μm)抛光液定向流动,减少淤积大曲率透镜(如鱼眼镜头)石墨烯涂层垫单层石墨烯表面改性热导率提升5倍,避免热变形紫外激光元件加工前沿趋势智能垫:集成光纤传感器实时监测垫磨损(如CorningSmartPad™)环保型:可生物降解聚乳酸(PLA)基垫(降解率>90%/年)混合动力垫:超声振动辅助垫(提升MRR40%同时保持Ra<2nm)根据具体工艺参数(压力、转速、抛光液类型)可进一步优化垫类型选择,例如:化学机械抛光(CMP):需选闭孔率>70%的聚氨酯垫超快激光辅助抛光:需耐高温(>200℃)的陶瓷纤维垫
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2025-06
蓝宝石玻璃的物理与化学特性解析
蓝宝石玻璃的物理与化学特性解析蓝宝石玻璃(SapphireGlass)是一种由α-氧化铝(α-Al₂O₃)单晶制成的高性能材料,因其卓越的硬度、透光性和化学稳定性,被广泛应用于消费电子、军工、光学仪器等领域。以下是其核心特性的详细解析:一、物理特性1.机械性能特性数值/描述对比参考(其他材料)莫氏硬度9级(仅次于钻石10级)康宁大猩猩玻璃:6~7级抗压强度2~3GPa普通玻璃:0.5~1GPa弹性模量345~400GPa钢铁:200GPa断裂韧性2~3MPa·m¹/²脆性较高(易碎,抗跌落性差)关键点:超高硬度:几乎不被日常物品(如钥匙、砂石)刮伤,适合屏幕盖板。脆性缺陷:受冲击时易碎裂(需通过复合层或结构设计改进)。2.光学性能特性数值/描述应用影响透光率(可见光)80%~85%(厚度0.5mm)略低于普通玻璃(92%),但更耐刮。折射率1.76~1.78(@589nm)需镀增透膜减少反射损失。红外透过率良好(3~5μm波段)适合红外窗口、导弹整流罩。关键点:透光均衡:从紫外(UV)到红外(IR)波段均表现良好,适合光学传感器。表面处理:抛光后可达Ra<0.5nm,用于激光镜片、相机镜头保护盖。3.热学性能特性数值/描述应用场景熔点2050℃高温环境(如航天器窗口)。热导率25~35W/(m·K)优于玻璃(~1W/(m·K))。热膨胀系数5.3×10⁻⁶/℃(@25~1000℃)与钨、钼等金属匹配,适合密封。关键点:耐高温:长期工作温度可达1000℃(普通玻璃软化点约600℃)。热冲击性:快速冷却时易开裂(需避免急冷急热)。二、化学特性1.耐腐蚀性介质耐受性典型环境强酸(HCl/H₂SO₄)常温下稳定,高温缓慢腐蚀。化工设备观察窗。强碱(NaOH)较差(80℃以上明显腐蚀)。避免长期接触碱性清洁剂。有机溶剂完全惰性(酒精、丙酮等无影响)。医疗器械、实验室设备。关键点:化学惰性:在大多数环境中稳定,但需避开高温强碱。无污染性:符合FDA标准,适用于食品、医疗领域。2.表面特性亲水性:表面能较高(~72mN/m),易吸附水汽(需镀疏水膜防污)。生物相容性:无毒、无致敏性,可用于植入式医疗设备(如人工晶状体)。三、与其他材料的对比特性蓝宝石玻璃普通玻璃聚碳酸酯(PC)硬度9(莫氏)6~73透光率80%~85%92%90%耐温性1000℃600℃(软化)120℃(变形)成本极高(5~10倍玻璃)低极低结论:优势:硬度、耐温、化学稳定性无可替代。劣势:成本高、脆性大,需根据应用场景权衡。四、典型应用场景消费电子:手机摄像头盖板(如iPhone主摄)、AppleWatch表镜。优势:防刮擦,提升镜头成像质量。军工航天:导弹红外窗口、卫星光学传感器。优势:耐高温、抗高速粒子冲击。工业与医疗:激光器镜片、内窥镜保护窗。优势:化学惰性、生物相容性。五、未来发展方向降本工艺:改进长晶技术(如HEM法),提升良率。复合材料:蓝宝石+纳米陶瓷层(提升抗摔性)。超薄化:<0.1mm柔性蓝宝石(可穿戴设备)。
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2025-06
蓝宝石玻璃的精密切割与抛光技术
蓝宝石玻璃(α-Al₂O₃单晶)因其超高硬度(莫氏9级)和脆性,加工难度远高于普通玻璃。以下是其切割与抛光的核心技术、工艺难点及解决方案:一、精密切割技术1. 激光切割(主流工艺)技术类型:皮秒/飞秒激光:超短脉冲(10⁻¹²~10⁻¹⁵秒)减少热影响区,避免微裂纹。紫外激光(355nm):高光子能量,适合薄片(<0.3mm)高精度切割。参数优化:功率:5~20W(视厚度调整)重复频率:50~200kHz扫描速度:100~500mm/s优势:切割缝宽≤20μm,可实现异形切割(如手机摄像头盖板的圆孔)。无机械应力,边缘崩边<5μm。案例:iPhone摄像头蓝宝石盖板的激光切割。2. 金刚石线切割工艺要点:使用电镀金刚石线(线径0.1~0.2mm),以高速往复运动切割。冷却液:去离子水+悬浮磨料(防止热积聚)。适用场景:厚板(>1mm)切割,如LED衬底晶圆。缺点:切割速度慢(约0.5~2mm/min),线痕需后续抛光。3. 超声波辅助切割原理:高频振动(20~40kHz)叠加金刚石刀具,降低切削力。效果:减少崩边,适用于高精度零件(如军用红外窗口)。二、抛光技术1. 机械抛光(粗抛)磨料选择:金刚石研磨液(粒径1~10μm)或碳化硼(B₄C)。工艺参数:压力:0.1~0.3MPa转速:50~200rpm目标:快速去除切割痕,表面粗糙度Ra<50nm。2. 化学机械抛光(CMP,精抛)抛光液配方:二氧化硅(SiO₂)或氧化铝(Al₂O₃)胶体+pH调节剂(NaOH或HNO₃)。关键参数:pH值:9~11(碱性环境加速表面化学反应)抛光垫材质:聚氨酯多孔垫效果:表面粗糙度Ra<0.5nm(达到光学级),透光率提升至85%以上。3. 磁流变抛光(MRF)原理:磁性流体携带磨料,在磁场作用下形成柔性“抛光模”,自适应表面形状。优势:适用于非球面、复杂曲面抛光(如相机镜片)。三、工艺难点与解决方案问题原因解决方案边缘崩边切割应力集中激光切割后火焰抛光(局部退火)表面划痕磨料粒径不均分级抛光(粗抛→中抛→精抛)抛光效率低蓝宝石硬度高加热抛光液(60~80℃)加速化学反应厚度不均夹具应力变形真空吸附固定+在线厚度监测四、应用场景与工艺选择消费电子(手机盖板):流程:激光切割→金刚石研磨→CMP抛光→镀AR膜。精度要求:厚度公差±0.02mm,边缘粗糙度Ra<10nm。LED衬底:流程:金刚石线切割→双面研磨→CMP抛光。目标:TTV(总厚度偏差)<5μm。军工红外窗口:流程:超声波切割→磁流变抛光→镀增透膜。五、前沿技术趋势激光隐形切割(StealthDicing):激光聚焦于材料内部,通过热应力裂片,无粉尘、无崩边。等离子体抛光:利用等离子体活化表面原子,实现原子级光滑(Ra<0.1nm)。复合加工:激光+水射流组合切割,兼顾效率与质量。六、设备与材料供应商推荐激光切割机:德国通快(TRUMPF)、日本滨松(Hamamatsu)。抛光液:美国Cabot、日本Fujimi。检测设备:白光干涉仪(Zygo)、原子力显微镜(Bruker)。
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2025-05
高精度蓝宝石衬底抛光液的配方设计与工艺参数影响
高精度蓝宝石衬底抛光液的配方设计和工艺参数优化是实现超光滑、低损伤表面的关键,尤其在LED、半导体和光学器件领域要求亚纳米级粗糙度(Ra<0.5nm)。以下是系统的技术分析:一、高精度抛光液配方设计1.核心组分及功能组分推荐类型作用机理浓度范围磨料胶体SiO₂(粒径50-80nm)机械去除软化层,粒径小且均匀以减少划痕5-15wt%pH调节剂KOH+有机胺(如TMAH)碱性环境(pH10.5-11.5)促进Al₂O₃溶解为Al(OH)₄⁻pH10.5-11.5氧化剂低浓度H₂O₂(<3wt%)温和氧化表面生成疏松水合层,避免过度腐蚀1-3wt%络合剂柠檬酸钠+EDTA二钠双络合体系稳定Al³⁺,防止再沉积0.5-2wt%分散剂聚丙烯酸铵(PAA-NH₄)静电稳定磨料,防止团聚(Zeta电位绝对值>30mV)0.1-0.5wt%表面活性剂非离子型(如PEG-400)降低表面张力至<40mN/m,提升润湿性0.05-0.2wt%2.配方优化要点磨料选择:胶体SiO₂优于Al₂O₃(硬度匹配更佳,减少划痕),需通过超声分散+离心分级控制D90<100nm。可尝试复合磨料(如SiO₂@CeO₂核壳结构),结合化学活性与机械性能。pH平衡:pH>12可能导致蓝宝石过度腐蚀,pH<10则反应不足,需通过缓冲体系(如K₂CO₃/KHCO₃)稳定pH。环保替代:用生物降解络合剂(如葡萄糖酸钠)替代EDTA,降低废水处理难度。二、工艺参数影响及优化1.关键参数交互作用参数影响规律优化范围与配方的关联性抛光压力压力↑→MRR↑,但>1.5psi易引发划痕0.5-1.2psi(3.4-8.3kPa)高硬度磨料需匹配低压抛光盘转速转速↑→剪切力↑→MRR↑,但>80rpm可能破坏反应膜均匀性60-80rpm高粘度抛光液需降低转速流量流量↓→反应时间↑→化学作用增强,但需避免局部干磨100-150mL/min高活性配方可减少流量温度温度↑→反应速率↑,但>35℃加速磨料团聚25-30℃含温度敏感组分(如H₂O₂)需严格控温抛光时间时间↑→表面粗糙度↓,但>60min可能引入边缘塌陷30-50min高MRR配方可缩短时间2.工艺窗口验证动态平衡测试:通过在线监测MRR和表面粗糙度,确定化学/机械作用最佳比例。理想状态:MRR稳定在100-200nm/min,Ra<0.3nm。终点检测:使用激光干涉仪或白光干涉仪实时监控表面形貌,避免过抛。三、典型案例分析1.高效低损伤配方组分:10wt%胶体SiO₂(70nm)+1.2wt%KOH+1.5wt%H₂O₂+0.8wt%柠檬酸钠+0.3wt%PAA-NH₄。工艺:压力0.8psi,转速70rpm,温度28℃,时间40min。结果:MRR180nm/min,Ra0.22nm,表面无划痕。2.环保型配方组分:8wt%SiO₂+葡萄糖酸钠(1wt%)代替EDTA,pH11(TMAH调节)。优势:废水COD降低60%,Ra仍保持<0.5nm。四、前沿发展方向智能抛光液:pH响应型磨料(如pH>11时磨料表面电荷反转,增强分散性)。纳米气泡技术:在抛光液中注入微纳米气泡,降低摩擦系数(实验显示可减少30%划痕)。超精密过滤系统:采用0.1μm超滤膜循环抛光液,延长使用寿命。五、总结高精度蓝宝石抛光需通过“温和化学+精细机械”协同实现:配方核心:小粒径SiO₂磨料+精准pH控制+高效络合体系。工艺关键:低压(<1psi)、中速(60-80rpm)、恒温(25-30℃)。未来趋势:环保化、智能化及原位监测技术的集成。
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2025-05
蓝宝石抛光液的化学机械抛光(CMP)机理及关键组分分析
蓝宝石抛光液的化学机械抛光(CMP)是一种结合化学腐蚀与机械磨削的精密表面处理技术,广泛应用于半导体、LED衬底、光学器件等领域。其机理及关键组分分析如下:一、CMP机理化学作用表面软化:抛光液中的化学组分(如碱性试剂或络合剂)与蓝宝石表面(Al₂O₃)反应,生成硬度较低的软质层(如氢氧化铝或可溶性络合物),降低机械抛光阻力。典型反应:Al2O3+2OH−+3H2O→2Al(OH)4−Al2​O3​+2OH−+3H2​O→2Al(OH)4−​选择性腐蚀:化学腐蚀优先作用于表面凸起部分,实现全局平坦化。机械作用磨料去除:纳米级磨料(如SiO₂、Al₂O₃或金刚石)通过物理摩擦去除软化的表面层,暴露出新鲜表面继续反应。动态平衡:化学腐蚀与机械去除的协同作用,实现高效、低损伤抛光。协同效应化学与机械作用的精准匹配是CMP的核心,过度化学腐蚀会导致表面粗糙,而机械作用过强则易引入划痕。二、关键组分及作用磨料类型:SiO₂(最常用)、Al₂O₃、CeO₂或金刚石纳米颗粒。要求:粒径均匀(50-200nm)、高硬度、低团聚性。作用:提供机械切削力,影响材料去除率(MRR)和表面质量。pH调节剂碱性试剂:KOH、NaOH(pH10-12),促进Al₂O₃溶解。酸性试剂:少数情况下用H₃PO₄或HNO₃(pH3-5),适用于特定工艺。影响:pH值直接决定化学反应速率和表面电荷状态(影响磨料分散性)。氧化剂常见组分:H₂O₂、NaClO等。作用:加速Al₂O₃氧化生成更易去除的软质层,提高MRR。络合剂类型:柠檬酸、EDTA、草酸等。作用:与Al³⁺形成可溶性络合物,防止反应产物重新沉积。分散剂类型:聚丙烯酸钠、PEG等。作用:防止磨料团聚,保持抛光液稳定性。表面活性剂作用:改善润湿性,降低表面张力,确保抛光液均匀分布。三、工艺参数影响抛光压力:压力↑→MRR↑,但过高压力易导致划痕。转速:转速↑→剪切力↑→MRR↑,需与化学作用平衡。温度:温度↑→反应速率↑,但需控制磨料稳定性。四、挑战与优化方向表面缺陷控制:减少划痕、凹坑等,需优化磨料硬度及粒径分布。抛光液稳定性:防止磨料沉降或团聚,延长使用寿命。环保性:开发无毒性、易处理的组分(如生物降解络合剂)。五、总结蓝宝石CMP抛光液的性能取决于化学腐蚀与机械磨削的协同,关键组分需根据工艺需求精准调配。未来趋势包括纳米复合磨料、智能pH响应体系及绿色化学配方。
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2024-10
钻石研磨垫一般是在什么情况使用?
钻石研磨垫一般在以下情况中使用:一、金属材料的精密加工金相、散热板等领域:这些领域对研磨产品的要求较高,不仅要求有较高的加工效率、几何精度,还要求较好的表面处理效果。钻石研磨垫采用金刚石磨料,具有低损伤、高精度、高清洁度的特点,能够提高成品率和加工效率,有效降低研磨、抛光的加工成本。配合平面研磨机使用:钻石研磨垫通常与平面研磨机配合使用,能够确保研磨的均匀性和一致性,提高研磨效率。二、玻璃、陶瓷等非金属材料的研磨减薄玻璃减薄制程:钻石研磨垫在玻璃减薄制程中应用广泛,特别是在手机视窗玻璃减薄制程中。它能够保持较高的研磨切削力,并且切削力稳定一致,研磨后玻璃表面质量好,粗糙度低,可以缩短抛光时间,提高良品率。陶瓷、宝石等材料:对于陶瓷、宝石等硬度较高的材料,钻石研磨垫同样表现出优异的研磨性能。其高硬度、高切削力的特点使得这些材料在研磨过程中能够获得良好的表面质量和加工效率。三、使用注意事项开刃处理:在使用前,需要对钻石研磨垫进行开刃处理,以确保盘面的平整并露出磨料。介质选择:使用过程中,采用水或冷却液作为介质,不仅能有润滑作用,还可以便于排屑、降低温度。工艺调整:适时调整压力、转速等工艺参数,可以让切削力和钻石研磨垫损耗达到最佳比例。存放保养:产品使用间隙,应保持研磨垫润湿状态。如果长期不使用,需冲洗干净,晾干存放。综上所述,钻石研磨垫在金属材料的精密加工以及玻璃、陶瓷等非金属材料的研磨减薄中具有广泛的应用前景。在使用过程中,需要注意开刃处理、介质选择、工艺调整以及存放保养等事项,以确保研磨效果和研磨垫的使用寿命。
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2024-10
无蜡垫:抛光研磨的新选择
  在抛光研磨领域,无蜡垫作为一种高效、省时的抛光工具,正在逐步取代传统的抛光方式。无蜡垫具有多种优点,尤其在半导体材料、光学晶体片和玻璃面板的抛光中表现出色。  无蜡垫的设计巧妙,无需使用蜡质材料,从而避免了传统抛光过程中可能出现的晶片穿插、剥离以及碎片、崩角、刮伤等问题。这不仅提高了抛光效率,还显著提升了抛光合格率。对于蓝宝石片、LCD基片、无蜡硅晶片等高精密材料,无蜡垫的使用更是至关重要。  无蜡垫通常包括垫片底盘、沉孔和无蜡抛光轮。垫片底盘内部设有沉孔,沉孔内卡嵌安装无蜡抛光轮。根据需求,无蜡垫可以分为单一式无蜡垫和集中式无蜡垫。单一式无蜡垫的沉孔容量较大,适用于不同形状和大小的晶片抛光,其接触面积的变化能够满足对晶片不同部位的精细打磨。集中式无蜡垫则分为多个较小的打磨区域,虽然每个无蜡抛光轮与晶片的接触面积降低,但提高了晶片局部的抛光打磨质量,适用于需要更高精度的抛光任务。  在生产无蜡垫时,材料的选择和配比同样至关重要。优质的无蜡垫通常采用金属合金作为垫片底盘的主要材料,通过合金熔炉融化合成,并经过精密的浇筑、热锻和退火保温处理,以确保垫片底盘具有高强度、高耐磨性和高热稳定性。同时,无蜡抛光轮的材料也需具备优异的抛光性能和耐磨性能,以确保抛光效果和使用寿命。  在实际应用中,无蜡垫凭借其高效的抛光能力和稳定的使用性能,广泛应用于平面显示、光学和3C金属等行业。无蜡垫的定制服务也使其能够满足不同客户的特定需求,无论是大小、厚度还是形状,都可以根据客户要求进行定制。  总的来说,无蜡垫作为抛光研磨领域的新选择,凭借其省时、省力、成本低以及高效的抛光能力,正在逐步改变传统的抛光方式,为各行业的抛光需求提供了新的解决方案。
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2024-05
蓝宝石抛光耗材在使用时需要注意哪些安全问题呢
蓝宝石抛光耗材在使用时需要注意以下安全问题:个人防护措施:佩戴合适的防护眼镜或护目镜,以防止研磨过程中产生的飞溅物进入眼睛。穿戴手套,避免与研磨液或磨料直接接触,减少对皮肤的刺激或损伤。如果可能产生粉尘,应佩戴防尘口罩或呼吸器。设备安全:使用前应确保抛光设备处于良好的工作状态,定期检查设备的稳定性和安全性。在操作过程中,避免设备过载或过度使用,以免引发设备故障或危险。化学品安全:抛光液和其他化学品应存放在适当的容器中,避免直接阳光照射和高温环境。使用前应仔细阅读化学品的标签和安全说明书,了解化学品的性质、危害和预防措施。避免与皮肤、眼睛等敏感部位接触,如果不慎接触,应立即用清水冲洗并寻求医疗帮助。操作环境:保持操作区域整洁,避免杂物堆积和通道堵塞。确保通风良好,避免抛光过程中产生的粉尘或有害气体在室内积聚。操作规范:遵循操作规范,避免过度用力或不当操作,以减少设备损坏和人员伤害的风险。定期检查抛光耗材的磨损情况,及时更换磨损严重的耗材,以确保抛光效果和安全性。紧急处理:了解紧急处理措施,如发生火灾、泄漏等事故时,应迅速采取措施进行处置,并立即报警求助。培训与教育:对操作人员进行相关安全培训和教育,使其了解抛光耗材的安全性能和使用要求,提高安全意识。通过遵循上述安全注意事项,可以最大限度地减少蓝宝石抛光耗材在使用过程中可能产生的安全风险。
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2023-08
半导体抛光技术及抛光液
  一、抛光技术  最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMPChemicalMechanicalPolishing)取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:  单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;  单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:  (1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。  (2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。  二、蓝宝石研磨液  蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石抛光液)是用于在蓝宝石衬底的研磨和减薄的研磨液。  蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。  蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:  1.外延片生产前衬底的双面研磨:多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道,根据最终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3um、1um不等。  2.LED芯片背面减薄  为解决蓝宝石的散热问题,需要将蓝宝石衬底的厚度减薄,从450nm左右减至100nm左右。主要有两步:先在横向减薄机上,用50-70um的砂轮研磨磨去300um左右的厚度;再用抛光机(秀和、NTS、WEC等)针对不同的研磨盘(锡/铜盘),采用合适的蓝宝石研磨液(水/油性)对芯片背面抛光,从150nm减至100nm[1]左右。  三、蓝宝石抛光液  蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。  蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底的抛光。还可广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。  蓝宝石抛光液的特点:  1.高抛光速率,利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的。  2.高纯度(Cu含量小于50ppb),有效减小对电子类产品的沾污。  3.高平坦度加工,蓝宝石抛光液是利用SiO2的胶体粒子进行抛光,不会对加工件造成物理损伤,达到高平坦化加工。  蓝宝石抛光液根据pH值的不同可分为酸性抛光液和碱性抛光液。  蓝宝石抛光液的型号:  碱性型号(pH:9.8±0.5):SOQ-2A、SOQ-4A、SOQ-6A、SOQ-8A、SOQ-10A、SOQ-12D  酸性型号(pH:2.8±0.5):ASOQ-2A、ASOQ-4A、ASOQ-6A、ASOQ-8A、ASOQ-10A、ASOQ-12D  粒径(nm):10~3030~5050~7070~9090~110110~130  外观:乳白色或半透明液体比重1.15±0.05  组成SiO2:15~30%Na2O:≤0.3%重金属杂质:≤50ppb
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